一种增强型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件
授权
摘要
本实用新型属于半导体器件领域，公开了一种增强型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件。所述器件包括衬底、GaN沟道层、AlGaN超薄势垒层、非晶SiO2层、单晶AlN层、漏金属电极、源金属电极和栅金属电极。本实用新型的增强型器件是在GaN和超薄AlGaN异质结的基础上，在栅下区域插入非晶SiO2层后，在异质结上外延单晶AlN层。栅下非晶SiO2层能够隔离强极性单晶AlN层对AlGaN超薄势垒层的极化增强效应，耗尽栅下二维电子气，使器件关断，实现增强型器件。同时栅下的非晶SiO2和单晶AlN可作为栅下介质层，有利于降低栅泄漏电流，提高器件击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
一种增强型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921418007.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-29
授权号 ：
CN210429824U
授权日 ：
2020-04-28
发明人 ：
李国强孙佩椰陈丁波万利军阙显沣姚书南
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
罗啸秋
优先权 ：
CN201921418007.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/20 H01L29/423 H01L29/51 H01L29/778 H01L21/28 H01L21/335
法律状态
2020-04-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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