一种增强型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件结构
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型提供一种增强型AlGaN/GaN MOS‑HEMT器件结构，包括Al2O3衬底，顺序层叠于Al2O3衬底上的第一本征GaN缓冲层、第二本征GaN缓冲层、GaN衬底层、AlGaN阻挡层和GaN帽层，GaN帽层至GaN衬底层刻蚀形成左侧源极区域和右侧漏极区域，左侧源极和右侧漏极区域表面形成有凸出于器件表面的金属化欧姆接触，GaN帽层和欧姆接触表面对应的栅极区域形成有栅极氧化层，栅极氧化层表面形成有栅极金属。本申请提供的器件结构能提高器件可靠性、提高2DEG的面密度和沟道驱动电流和减小器件的栅极泄露电流，制备方法能与主流化合物半导体工艺制程兼容，衬底质量较好，工艺重复度高，易于大规模制造。
基本信息
专利标题 ：
一种增强型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921766721.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-21
授权号 ：
CN209843716U
授权日 ：
2019-12-24
发明人 ：
李迈克
申请人 ：
中证博芯（重庆）半导体有限公司
申请人地址 ：
重庆市合川区草街街道嘉合大道500号
代理机构 ：
重庆信航知识产权代理有限公司
代理人 ：
穆祥维
优先权 ：
CN201921766721.8
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/06 H01L29/10 H01L29/423 H01L21/335
法律状态
2020-01-14 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/778
登记生效日 : 20191225
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中证博芯（重庆）半导体有限公司
变更后权利人 : 中合博芯(重庆)半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 401573 重庆市合川区草街街道嘉合大道500号
变更后权利人 : 401573 重庆市合川区信息安全产业城草街街道嘉合大道500号
登记生效日 : 20191225
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中证博芯（重庆）半导体有限公司
变更后权利人 : 中合博芯(重庆)半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 401573 重庆市合川区草街街道嘉合大道500号
变更后权利人 : 401573 重庆市合川区信息安全产业城草街街道嘉合大道500号
2019-12-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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