一种新型增强型GaN HEMT器件结构

授权

摘要

本发明提供一种新型增强型GaN HEMT器件结构，由如下步骤制备而成：外延生长；PN结栅叠层生长；Si基GaN外延晶片清洗；光刻及对准标记形成；台面隔离；刻蚀PN结叠层；源、漏欧姆接触；钝化层沉积；栅槽刻蚀；栅金属沉积；保护层沉积；开孔及金属互联。本发明以p型栅为基础设计了PN结栅型GaN HEMT，通过在p‑GaN上面加了一层n‑GaN，形成PN结，利用PN结在栅加电压时，PN结反向偏置，增大栅极击穿电压Vg，具有大的栅压摆幅，非常适合于功率开关的应用，可以获得更大的栅极驱动偏置以确保安全操作。

基本信息

专利标题：

一种新型增强型GaN HEMT器件结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112968059A

申请号：

CN202110154220.X

公开（公告）日：

2021-06-15

申请日：

2021-02-04

授权号：

CN112968059B

授权日：

2022-04-19

发明人：

翁加付周炳

申请人：

宁波海特创电控有限公司;桂林理工大学

申请人地址：

浙江省宁波市奉化区经济开发区汇明路98号

代理机构：

宁波浙成知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

王方华

优先权：

CN202110154220.X

主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/778 H01L29/423 H01L21/335

法律状态

2022-04-19 ：

授权

2021-07-02 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20210204

2021-06-15 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载