增强型半导体结构

授权

摘要

本实用新型提供了一种增强型半导体结构，增强型半导体结构包括：自下而上分布的半导体衬底、异质结结构、帽层、第一钝化层以及第二钝化层；贯穿第一钝化层与第二钝化层的凹槽；以及至少位于凹槽的内壁的栅极绝缘层。在干法刻蚀第二钝化层形成凹槽后，第一钝化层可用于刻蚀终点检测，避免过刻蚀。在第二钝化层凹槽处暴露出的第一钝化层，可通过湿法刻蚀去除。湿法刻蚀去除第一钝化层时，帽层具有极高的稳定性，所以湿法腐蚀去除第一钝化层后，不会损伤帽层。无损伤的帽层能有效降低异质结结构的表面缺陷，以降低电子被缺陷捕获的几率，实现减弱电流崩塌效应以及降低动态导通电阻。

基本信息

专利标题：

增强型半导体结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021975882.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-10

授权号：

CN213635994U

授权日：

2021-07-06

发明人：

程凯

申请人：

苏州晶湛半导体有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室

代理机构：

北京布瑞知识产权代理有限公司

代理人：

孟潭

优先权：

CN202021975882.0

主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/778 H01L29/06