一种增强型的半导体晶体管
授权
摘要
本实用新型涉及晶体管技术领域，公开了一种增强型的半导体晶体管，包括晶体管本体，所述晶体管本体的外部设置有壳体，所述壳体的底面两端对称安装有连接片，所述连接片的底端安装有转轴，且转轴的外部设置有限位块，所述限位块绕转轴向外翻转，且限位块的翻转角度为90度，所述限位块的侧壁设为光滑的平面，所述壳体的外壁上方嵌入安装有保护垫层，所述保护垫层的外壁设有凸纹结构层，且保护垫层的内壁安装有隔热层，本实用新型通过在壳体的底部对称安装有连接片，并且连接片的底端安装有转轴，转轴的外部设有限位块，通过限位块绕转轴转动，方便工作人员将晶体管本体安装和固定，提高了晶体管安装使用的便捷性。
基本信息
专利标题 ：
一种增强型的半导体晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123045707.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-06
授权号 ：
CN216288378U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
颜镇源颜坚秋
申请人 ：
深圳市新新电子科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦511
代理机构 ：
深圳科湾知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李晓林
优先权 ：
CN202123045707.9
主分类号 ：
H01L23/02
IPC分类号 ：
H01L23/02 H01L23/00 H01L23/32 H01L29/72
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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