多层衬底上的半导体晶体管
实质审查的生效
摘要
本发明涉及多层衬底上的半导体晶体管。提供了一种半导体器件，其包括多层衬底、第一掺杂区、第二掺杂区以及栅极结构。该多层衬底具有位于隔离层之上的器件层，并且器件层包括具有第一衬底厚度的第一区域和具有小于第一衬底厚度的第二衬底厚度的第二区域。第一掺杂区位于第一区域中并且第二掺杂区位于第二区域中。栅极结构位于第一掺杂区和第二掺杂区之间。
基本信息
专利标题 ：
多层衬底上的半导体晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388609A
申请号 ：
CN202111005028.0
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-08-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
文凤雄
申请人 ：
格芯新加坡私人有限公司
申请人地址 ：
新加坡新加坡市
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
贺月娇
优先权 ：
CN202111005028.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L27/088 H01L21/8234
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20210830
申请日 : 20210830
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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