衬底与晶体管间具有高阻抗半导体材料的集成电路(IC)结构
公开
摘要
本公开的实施例提供了在衬底和晶体管之间具有高阻抗半导体材料的集成电路(IC)结构。该IC结构可以包括：衬底、位于衬底的一部分上的高阻抗半导体材料，以及位于高阻抗半导体材料的顶表面上的晶体管。晶体管包括在水平方向上位于第一源极/漏极(S/D)区和第二S/D区之间的半导体沟道区。高阻抗半导体材料在竖直方向上位于晶体管和衬底之间；第一绝缘体区位于衬底上且与第一源极/漏极区在水平方向上相邻；第一掺杂阱位于衬底上且与第一绝缘体区在水平方向上相邻。第一绝缘区在水平方向上位于第一掺杂阱和晶体管之间。
基本信息
专利标题 ：
衬底与晶体管间具有高阻抗半导体材料的集成电路(IC)结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613768A
申请号 ：
CN202111466178.1
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
J·J·埃利斯-莫纳甘A·杜塔S·V·乔帕利V·N·R·瓦努库鲁M·阿布-卡利尔
申请人 ：
格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
贺月娇
优先权 ：
CN202111466178.1
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06 H01L27/13
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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