一种新型P-GaN栅结构的增强型器件及其制作方法
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摘要
本发明提供一种新型P‑GaN栅结构的增强型器件及其制作方法。所述器件包括衬底，还包括在衬底一侧依次设置的成核层、缓冲层、势垒层、P‑GaN层、栅金属层；所述P‑GaN层在所述势垒层上的投影小于所述势垒层靠近所述P‑GaN层一侧的界面，所述P‑GaN层中部设置有凹槽；所述栅金属层靠近所述P‑GaN层的一侧具有与所述凹槽相适应的凸起，所述凸起插入所述凹槽。所述方法包括：将基底材料的P‑GaN原始层刻蚀为设定大小的P‑GaN层；所述基底材料包括衬底，以及在所述衬底一侧依次设置的成核层、缓冲层、势垒层、P‑GaN原始层；在所述P‑GaN层上刻蚀凹槽；在所述P‑GaN层上制作栅金属层，所述栅金属层的材料填充所述凹槽；所述方法还包括：在势垒上制作源极和漏极。本发明能够增强器件的栅控能力。
基本信息
专利标题 ：
一种新型P-GaN栅结构的增强型器件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108899366A
申请号 ：
CN201810592687.0
公开（公告）日 ：
2018-11-27
申请日 ：
2018-06-11
授权号 ：
CN108899366B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
郑雪峰陈轶昕王士辉吉鹏马晓华郝跃
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王海栋
优先权 ：
CN201810592687.0
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L21/335
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2018-12-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20180611
申请日 : 20180611
2018-11-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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