本发明公开了一种GaN器件的防护结构及其制作方法，该防护结构包括设置在GaN器件外的离子注入区以及在离子注入区上依次层叠的欧姆接触金属层和互连结构，离子注入区为有源区，离子注入区、欧姆接触金属层与最上层的互连结构的金属层下方的互连结构构成环形结构，互连结构包括介质层和金属层，介质层上设有通孔，该通孔设于欧姆接触金属层或下一层的互连结构的金属层的上表面上方，相邻两个互连结构之间通过填充在通孔内的金属层连接，并且最下层的互连结构的金属层与欧姆接触金属层连接，最上层的互连结构的金属层与GaN器件的源极焊盘连接，形成静电扩散通道，GaN器件的源极接地，因此可以释放ESD产生的电荷，提高制程中器件的良率。