基于p-InGaN/GaN超晶格结构的增强型GaN器件及...
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于p‑InGaN/GaN超晶格结构的增强型GaN器件及其制备方法，该器件自下而上依次包括：衬底、缓冲层、第一UID‑GaN层、势垒层，势垒层的左右两侧上表面设有源电极和漏电极；其中，源电极和漏电极中间的势垒层上依次向上设有第二UID‑GaN层、p‑InGaN/GaN超晶格层以及栅电极；第一UID‑GaN层的部分上表面、势垒层以及p‑InGaN/GaN超晶格层上均设有钝化层；源电极、漏电极以及栅电极上均设有互连金属。本发明提供的器件结构降低了杂质散射对载流子迁移率的影响，提高了空穴迁移率，增加了空穴浓度，提高了器件阈值电压，进而提升了器件可靠性，为实现高性能GaN基电力电子器件和集成电路夯实了基础。
基本信息
专利标题 ：
基于p-InGaN/GaN超晶格结构的增强型GaN器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420748A
申请号 ：
CN202111301947.2
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张苇杭樊昱彤张进成刘茜付李煜黄韧许国富文钰郝跃张晓东
申请人 ：
西安电子科技大学广州研究院
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区中新知识城海丝中心B5、B6、B7栋
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘长春
优先权 ：
CN202111301947.2
主分类号 ：
H01L29/205
IPC分类号 ：
H01L29/205 H01L29/15 H01L29/778 H01L21/335
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/205
申请日 : 20211104
申请日 : 20211104
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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