一种增强型异质金属栅AlGaN/GaN MOS-HEMT...
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型公开了一种增强型异质金属栅AlGaN/GaN MOS‑HEMT器件，包括：位于Al2O3衬底之上的AlN过渡层；位于所述AlN过渡层之上的多层缓冲结构；位于多层缓冲结构之上的AlGaN阻挡层；位于所述AlGaN阻挡层之上的GaN帽层；位于所述第一GaN层之上且向上穿过所述AlGaN阻挡层以及GaN帽层的源极和漏极；位于所述GaN帽层、源极和漏极之上的栅极氧化层；位于所述栅极氧化层之上的异质栅极结构。本实用新型能够提高沟道驱动电流，可对阈值电压进行灵活调整、能防止沟道载流子迁移率的恶化。
基本信息
专利标题 ：
一种增强型异质金属栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921823837.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-28
授权号 ：
CN210073863U
授权日 ：
2020-02-14
发明人 ：
李迈克
申请人 ：
中证博芯（重庆）半导体有限公司
申请人地址 ：
重庆市合川区草街街道嘉合大道500号
代理机构 ：
重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
霍维英
优先权 ：
CN201921823837.0
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/06 H01L29/417 H01L29/778 H01L21/28 H01L21/335
法律状态
2020-06-30 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/423
登记生效日 : 20200611
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中证博芯（重庆）半导体有限公司
变更后权利人 : 中合博芯（重庆）半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 401520 重庆市合川区草街街道嘉合大道500号
变更后权利人 : 401573 重庆市合川区信息安全产业城草街街道嘉合大道500号
登记生效日 : 20200611
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中证博芯（重庆）半导体有限公司
变更后权利人 : 中合博芯（重庆）半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 401520 重庆市合川区草街街道嘉合大道500号
变更后权利人 : 401573 重庆市合川区信息安全产业城草街街道嘉合大道500号
2020-02-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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