本发明涉及一种基于氧化腐蚀的增强型GaN HEMT及其制备方法，制备方法包括步骤：S1、在衬底上依次生长成核层、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、GaN终止层、p型AlGaN层和p型GaN帽层；S2、制作器件的台面隔离；S3、将源漏电极区域和有源区的p型GaN帽层刻蚀掉，露出p型AlGaN层；S4、对露出的p型AlGaN层和p型GaN帽层进行选择性氧化，形成氧化AlGaN层；S5、湿法腐蚀氧化AlGaN层，露出GaN终止层；S6、在露出的GaN终止层的一端制备源极，另一端制备漏极，并在p型GaN帽层上制备栅极。该制备方法不仅避免了过腐蚀，而且能够保护源漏电极接触区域及有源区域不受等离子体刻蚀损伤，对源漏电极接触区域及有源区的损伤小，从而得到较好的表面形貌，提升器件的整体性能。