用于发光器件的具有辅助电极的超薄金属电极
实质审查的生效
摘要
一种发光器件，具有第一电极、第二电极以及与所述第一电极和所述第二电极电接触的发射层(EML)。所述电荷传输层(CTL)位于所述EML与所述第二电极之间，所述第二电极是小于5纳米的超薄透明金属层，并且包括通过湿法蚀刻形成的辅助电极金属格栅。所述超薄透明金属层位于所述CTL与所述辅助电极金属格栅之间，所述超薄金属层优选为具有蚀刻剂选择性使得其不受辅助电极湿法蚀刻影响的金属。
基本信息
专利标题 ：
用于发光器件的具有辅助电极的超薄金属电极
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551751A
申请号 ：
CN202111320895.3
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
H·霍普金
申请人 ：
夏普株式会社
申请人地址 ：
日本国大阪府堺市堺区匠町1番地
代理机构 ：
深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司
代理人 ：
叶乙梅
优先权 ：
CN202111320895.3
主分类号 ：
H01L51/52
IPC分类号 ：
H01L51/52
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/52
申请日 : 20211109
申请日 : 20211109
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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