多电平单元存储器器件及相关读取方法
授权
摘要
一种NOR闪存存储器器件包括适合于存储至少两个比特数据的存储器单元。通过生成检测最高有效比特(MSB)的值的、具有第一幅值的基准电流，以及生成检测最低有效比特(LSB)的值的、具有第二幅值的基准电流，在存储器单元上执行读操作。在读操作期间，通过把第一和第二基准电流与流过存储器单元的电流量进行比较，检测MSB和LSB的各自的值。根据基准电压生成器所生成的不同的基准电压确定第一和第二基准电流的各自的幅值。
基本信息
专利标题 ：
多电平单元存储器器件及相关读取方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822227A
申请号 ：
CN200510131616.3
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2005-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金大汉李升根
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
黄小临
优先权 ：
CN200510131616.3
主分类号 ：
G11C16/02
IPC分类号 ：
G11C16/02 G11C16/06 G11C11/34 G11C7/00 H01L27/115 H01L21/8247
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
法律状态
2012-01-11 ：
授权
2008-01-16 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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