纳电子相变存储器器件单元的制备方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种纳电子相变存储器器件单元的制备方法。本发明采用纳米加工技术在金属氧化物半导体场效应晶体管的源端或漏端处的相变材料层上制备出柱状小电极，且柱状小电极底面与相变材料层保持良好接触，然后在柱状小电极周围填充绝热材料层，去除柱状小电极上覆盖的绝热材料层后，再在柱状小电极上制备引出电极，且柱状小电极顶面与引出电极保持良好接触，最后通过光刻工艺把两个电极引出，即制备出相变存储器的器件单元。本发明制备的器件单元是与金属氧化物半导体场效应晶体管直接集成的，同时柱状小电极的尺寸可以做的很小，可以很容易制备出纳米尺度的器件单元，大大提高存储密度，实现存储器由微电子向纳电子器件的转变。
基本信息
专利标题 ：
纳电子相变存储器器件单元的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1779947A
申请号 ：
CN200510030636.1
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宋志棠刘波封松林陈邦明
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
200050上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
潘振甦
优先权 ：
CN200510030636.1
主分类号 ：
H01L21/82
IPC分类号 ：
H01L21/82 H01L21/8239 H01L45/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
法律状态
2008-04-02 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-07-26 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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