Al-Sc-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方...
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摘要
本发明提供一种Al‑Sc‑Sb‑Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法,所述Al‑Sc‑Sb‑Te相变材料包括铝、钪、锑、碲四种元素,所述Al‑Sc‑Sb‑Te相变材料的化学通式为(AlSc2)x(Sb2Te)y,其中,0
基本信息
专利标题 :
Al-Sc-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110148668A
申请号 :
CN201910466004.1
公开(公告)日 :
2019-08-20
申请日 :
2019-05-31
授权号 :
CN110148668B
授权日 :
2022-05-17
发明人 :
章思帆吴良才刘广宇宋志棠宋三年
申请人 :
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 :
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 :
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 :
余明伟
优先权 :
CN201910466004.1
主分类号 :
H01L45/00
IPC分类号 :
H01L45/00
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法律状态
2022-05-17 :
授权
2019-09-13 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20190531
申请日 : 20190531
2019-08-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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