一种Cu掺杂的Sb-Te体系相变材料、相变存储器及制备方...
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种Cu掺杂的Sb2Te3体系相变材料、相变存储器及制备方法装置，属于微纳米电子技术领域。其中，Sb‑Te体系相变材料通过Cu元素掺杂，在局部富Cu的情况下形成同时具备四面体以及八面体结构的Cu3Te2键合。强键合的四面体结构提高Sb‑Te体系相变材料的非晶稳定性及数据保持能力，晶体构型八面体结构提高Sb‑Te体系相变材料的结晶速度。本发明还提供了包含该相变材料的相变存储器以及相变材料的制备方法。本发明的相变材料能同时改善器件的速度和非晶稳定性，提升相变存储器的综合性能。
基本信息
专利标题 ：
一种Cu掺杂的Sb-Te体系相变材料、相变存储器及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361335A
申请号 ：
CN202111535353.8
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程晓敏曾运韬缪向水
申请人 ：
华中科技大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
代理机构 ：
武汉华之喻知识产权代理有限公司
代理人 ：
王世芳
优先权 ：
CN202111535353.8
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 C23C14/06 C23C14/35
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20211215
申请日 : 20211215
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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