采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法

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摘要

本发明涉及一种采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器单元的方法，具体包括硫系化合物纳米材料的制备方法及其用于制备相变存储器器件单元的方法。通过采用在一维绝缘的纳米材料表面覆盖一层硫系化合物薄膜，制备出硫系化合物纳米材料，进而再采用纳米加工技术，把硫系化合物纳米材料与相变存储器器件单元的电极集成在一起，制备出纳米尺度的相变存储器器件单元。由于纳米结构材料的制备工艺比较成熟且尺寸可以很小，很容易制备出小尺寸的硫系化合物纳米材料。把硫系化合物纳米材料应用到相变存储器器件单元，利用硫系化合物纳米材料截面积可以很小的特征，大大增加电流密度，提高硫系化合物有效相变区域的热效率，降低操作电流，减小功耗。

基本信息

专利标题：

采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1801501A

申请号：

CN200510110783.X

公开（公告）日：

2006-07-12

申请日：

2005-11-25

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

刘波宋志棠封松林

申请人：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请人地址：

200050上海市长宁区长宁路865号

代理机构：

上海智信专利代理有限公司

代理人：

潘振甦

优先权：

CN200510110783.X

主分类号：

H01L45/00

IPC分类号：

H01L45/00