一种制备相变存储器纳米加热电极的方法
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摘要
本发明涉及一种制备相变存储器纳米加热电极的方法，首先通过微纳加工技术，在SiO2衬底上制备较大尺寸的孔洞，接着利用常规的CVD技术的良好台阶覆盖性能在该孔洞中和孔洞侧壁上淀积一层几个纳米厚的加热金属层，在孔洞里填充介质层，最后进行化学机械抛光，抛去孔洞上端的介质材料和加热电极材料，从而形成环状纳米加热电极。本发明避免了纳米小孔中填充电极材料、相变材料的困难，利用较大的环状纳米加热电极实现具有同样面积的小孔洞柱状加热电极的效果。不仅仅适用于解决相变存储器纳米加热电极问题，同样适用于其它电子器件特别是纳电子器件所需的纳米加热电极的制备，具有很大的应用价值。
基本信息
专利标题 ：
一种制备相变存储器纳米加热电极的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1808706A
申请号 ：
CN200510111118.2
公开（公告）日 ：
2006-07-26
申请日 ：
2005-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴良才宋志棠刘波封松林陈邦明
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
200050上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
潘振甦
优先权 ：
CN200510111118.2
主分类号 ：
H01L21/82
IPC分类号 ：
H01L21/82 H01L45/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
法律状态
2008-10-01 ：
授权
2006-09-20 ：
实质审查的生效
2006-07-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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