用于相变存储器的加热电极材料及制备方法
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摘要
本发明涉及可用于相变存储器的加热电极材料及制备方法；所述的加热电极材料为至少含Ge元素的加热电极材料，通式为GexWyN1－x－y、GexTiyN1－x－y、GexWyO1－x－y、GexTiyO1－x－y等材料中的一种，式中的x和y是指元素的原子百分比，且满足：0＜x≤1；0≤y＜1；0＜x+y≤1；所述的相变存储器加热电极材料制备所采用的工艺为溅射法、蒸发法、原子层沉积法、化学气相沉积法、金属有机物热分解法或激光辅助沉积法中任意一种；与传统的相变存储器电极材料W、TiN、TiON和等TiAlN相比，Ge基加热电极材料具有与相变材料黏附性好、电阻高等优点，可提高器件的加热效率，降低器件的功耗。
基本信息
专利标题 ：
用于相变存储器的加热电极材料及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825649A
申请号 ：
CN200610023390.X
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘波宋志棠封松林陈邦明
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
200050上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
潘振甦
优先权 ：
CN200610023390.X
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2011-07-20 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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