相变存储器件及其制造方法
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摘要
提供了一种要求低驱动电流脉冲的相变存储器件及其制造方法。在所述相变存储器件中，在衬底上形成晶体管，第一电极电连接至所述衬底上的晶体管。在所述第一电极上沿纵向形成相变材料膜，在所述相变材料膜上形成第二电极。这里，所形成的位于所述相变材料膜和所述第二电极之间的接触区域具有30nm或更小的宽度。
基本信息
专利标题 ：
相变存储器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828922A
申请号 ：
CN200610004963.4
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐东硕姜闰浩卢振瑞瓦西列·勒尼阿钦宋美贞
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610004963.4
主分类号 ：
H01L27/24
IPC分类号 ：
H01L27/24 H01L45/00 H01L21/822
相关图片
法律状态
2009-07-15 ：
授权
2008-04-02 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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