相变随机存取存储器及其制造方法
授权
摘要
提供了一种PRAM，及其制造方法。所述PRAM包括晶体管和数据存储器。所述的数据存储器连接至所述晶体管。数据存储器包括顶部电极、底部电极和多孔PCM层。所述的多孔PCM层插入到所述顶部电极和底部电极之间。根据本发明，PRAM具有这样的结构，其能够增大PCM层的电流密度，并降低复位电流。
基本信息
专利标题 ：
相变随机存取存储器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825612A
申请号 ：
CN200510126836.7
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2005-11-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李相睦林珍亨姜闰浩卢振瑞徐东硕
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510126836.7
主分类号 ：
H01L27/24
IPC分类号 ：
H01L27/24 H01L21/82 H01L45/00
法律状态
2009-10-28 ：
授权
2008-04-02 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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