相变存储器及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例提出了一种相变存储器及其制造方法，其中，所述相变存储器，包括：相变存储单元，所述相变存储单元至少包括依次堆叠设置的第一电极、相变存储结构、第二电极；所述相变存储结构包括至少一个相变存储层和至少一个金属离子提供层，所述相变存储层与所述金属离子提供层交替堆叠设置；所述金属离子提供层用于在所述第一电极和第二电极接收电压时，为所述相变存储层提供金属离子，以增大所述相变存储层中的电流。
基本信息
专利标题 ：
相变存储器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420838A
申请号 ：
CN202111655257.7
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨海波刘峻刘广宇彭文林付志成
申请人 ：
长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
邵磊
优先权 ：
CN202111655257.7
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L27/24
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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