间隙壁电极侧接式相变化存储器及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种间隙壁电极侧接式相变化存储器及其制造方法，主要采用较低电阻率的导线电极结合较高电阻率的间隙壁电极，且将相变化材料层形成于间隙壁电极之间，因此可降低相变化材料层与间隙壁电极的接触面积并缩小相变化材料的体积，进而减少相变化存储器的操作电流与功率损耗。
基本信息
专利标题 ：
间隙壁电极侧接式相变化存储器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1988200A
申请号 ：
CN200510132710.0
公开（公告）日 ：
2007-06-27
申请日 ：
2005-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵得胜王文翰李敏鸿许宏辉李乾铭卓言陈颐承陈维恕
申请人 ：
财团法人工业技术研究院
申请人地址 ：
中国台湾新竹县
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
梁挥
优先权 ：
CN200510132710.0
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L27/24 H01L21/82
法律状态
2011-03-23 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101075875813
IPC(主分类) : H01L 45/00
专利申请号 : 2005101327100
公开日 : 20070627
号牌文件序号 : 101075875813
IPC(主分类) : H01L 45/00
专利申请号 : 2005101327100
公开日 : 20070627
2007-08-22 ：
实质审查的生效
2007-06-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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