堆叠式存储器及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种堆叠式存储器及其制造方法,包括:多个存储裸片,每一存储裸片具有独立的熔断信息,熔断信息是将存储裸片中设置的预设数量的熔丝,按照熔丝的熔断排列组合方式熔断获得,每一存储裸片中预设数量熔丝的熔断排列组合方式是根据堆叠式存储器制造过程依序确定的;每一存储裸片可由包含熔断信息的信号单独选择和控制。本申请在去除逻辑裸片的基础上,在堆叠式存储器制造过程中,依序为每一存储裸片确定一种熔断排列组合方式,以获得一个独立的熔断信息,从而每一存储裸片可由包含熔断信息的信号单独选择和控制,从而每一存储裸片上也就不需要硅通孔来区分存储分区,进而可以达到减少硅通孔、节省成本的效果。
基本信息
专利标题 :
堆叠式存储器及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114446334A
申请号 :
CN202011218164.3
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2020-11-04
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
康卜文杨红杨涛王文武李俊峰殷华湘
申请人 :
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址 :
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 :
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 :
刘广达
优先权 :
CN202011218164.3
主分类号 :
G11C5/06
IPC分类号 :
G11C5/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C5/00
包括在G11C11/00组中的存储器零部件
G11C5/06
存储元件电的互相连接的装配,例如,通过布线的互连
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 5/06
申请日 : 20201104
申请日 : 20201104
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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