侧壁有源接脚存储器及其制造方法
专利权的终止
摘要
一种形成具有复合层的存储单元的方法被提出。此复合层具有一第一电极、覆盖此第一电极的一绝缘层与此覆盖此绝缘层的一第二电极。形成一侧壁空间，此侧壁空间包括一个具有第一电极与第二电极的可程序化阻抗材料。通过沉积覆盖在复合层侧壁上的可程序化阻抗材料层、各向异性地蚀刻此可程序化阻抗材料层以除去隔开此侧壁的部分与选择性地根据此侧壁空间大小所定义出来的图案蚀刻此可程序化阻抗材料层，此大小在实施例中约小于等于为40纳米。
基本信息
专利标题 ：
侧壁有源接脚存储器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819297A
申请号 ：
CN200510124824.0
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-11-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
龙翔澜陈士弘陈逸舟
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510124824.0
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L27/24 H01L21/82
法律状态
2020-11-06 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20051122
授权公告日 : 20130821
终止日期 : 20191122
申请日 : 20051122
授权公告日 : 20130821
终止日期 : 20191122
2013-08-21 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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