包括作为存储节点的电阻变化层的存储器件的制造方法
授权
摘要
提供了一种制造包括电阻变化层作为存储节点的存储器件的方法。所述方法包括：在底层上依次堆叠导电材料层、二极管层和数据存储层；在所述数据存储层上形成第一材料层；在所述第一材料层中形成暴露所述数据存储层的第一孔；在所述第一孔的侧壁上用第二材料层形成第一隔片；用第三材料层填充所述第一孔并覆盖所述第一隔片；除去所述第一材料层；在所述第一隔片的侧壁上用第四材料层形成第二隔片；除去所述第三材料层；以及使用所述第一和第二隔片作为掩模在第一堆叠结构中形成暴露底层的第二孔。这些操作结果形成了位线，然后形成字线。
基本信息
专利标题 ：
包括作为存储节点的电阻变化层的存储器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790669A
申请号 ：
CN200510120298.0
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴允童金元柱田尚勋
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510120298.0
主分类号 ：
H01L21/82
IPC分类号 ：
H01L21/82 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
法律状态
2009-08-19 ：
授权
2007-10-24 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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