可变电阻存储器件
授权
摘要
一种可变电阻存储器件包括：选择图案；中间电极，接触选择图案的第一表面；可变电阻图案，相对于选择图案在中间电极的相反侧；以及第一电极，接触选择图案的第二表面并包括n型半导体材料，选择图案的第二表面与其第一表面相反。
基本信息
专利标题 ：
可变电阻存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107123734A
申请号 ：
CN201710089322.1
公开（公告）日 ：
2017-09-01
申请日 ：
2017-02-20
授权号 ：
CN107123734B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
吴哲朴淳五朴正熙安东浩堀井秀树
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
屈玉华
优先权 ：
CN201710089322.1
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2018-10-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20170220
申请日 : 20170220
2017-09-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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