电阻式存储器元件累进电阻特性的控制方法
授权
摘要
一种电阻式存储器累进电阻特性的控制方法，包括：对一电阻式存储器元件施加一第一写入脉冲集合，以获取一参考累进电阻分布；根据参考累进电阻分布对电阻式存储器元件施加第二写入脉冲集合，使电阻式存储器元件具有一预设累进电阻分布。
基本信息
专利标题 ：
电阻式存储器元件累进电阻特性的控制方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111564168A
申请号 ：
CN201910135026.X
公开（公告）日 ：
2020-08-21
申请日 ：
2019-02-21
授权号 ：
CN111564168B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
蒋光浩林榆瑄
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
张宇园
优先权 ：
CN201910135026.X
主分类号 ：
G11C13/00
IPC分类号 ：
G11C13/00 H01L45/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C13/00
特征在于使用不包括在G11C11/00，G11C23/00或G11C25/00各组内的存储元件的数字存储器
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-09-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 13/00
申请日 : 20190221
申请日 : 20190221
2020-08-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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