相变存储器装置
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明的相变存储器装置具有：半导体基板；分别设置在矩阵状排列的多个字线和多个位线的各交点上的一个MOS晶体管；多个相变存储器元件，在半导体基板上堆积相变材料的相变层中，在和一个MOS晶体管的扩散层的上部相对的区域中形成，存储保持多位数据；以及下部电极构造，使多个相变存储器元件中的每一个与一个MOS晶体管的扩散层电连接。
基本信息
专利标题 ：
相变存储器装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819256A
申请号 ：
CN200610006478.0
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-02-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
浅野勇藤幸雄中井洁川越刚
申请人 ：
尔必达存储器株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
陆锦华
优先权 ：
CN200610006478.0
主分类号 ：
H01L27/24
IPC分类号 ：
H01L27/24 G11C11/00
相关图片
法律状态
2014-06-04 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101701508378
IPC(主分类) : H01L 27/24
专利号 : ZL2006100064780
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 尔必达存储器株式会社
变更后权利人 : 美光科技公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 美国爱达荷州
登记生效日 : 20140512
号牌文件序号 : 101701508378
IPC(主分类) : H01L 27/24
专利号 : ZL2006100064780
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 尔必达存储器株式会社
变更后权利人 : 美光科技公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 美国爱达荷州
登记生效日 : 20140512
2009-01-14 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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