一种相变存储器
授权
摘要
本申请公开了一种相变存储器，包括：第一电极；第二电极，与第一电极相对设置；主体结构，位于第一电极与第二电极之间，主体结构包括相变层与挤压层，挤压层绕相变层的周侧设置，挤压层与相变层的周侧抵接且挤压相变层；加热器，位于主体结构与第二电极之间；其中，第一电极与主体结构触接，加热器与相变层以及第二电极触接。本申请的相变存储器在相变层的周侧设置挤压层，当相变层在非晶相态与结晶相态之间快速转换时，相变部分的体积变化，此时挤压层挤压未相变部分，使得未相变部分与相变部分始终保持接触，从而可以避免相变部分与未相变部分之间出现空隙。
基本信息
专利标题 ：
一种相变存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122039311.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-08-26
授权号 ：
CN216648354U
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
袁刚
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京恒博知识产权代理有限公司
代理人 ：
张琦
优先权 ：
CN202122039311.7
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2022-05-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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