使用单元二极管的相变存储器件及其制造方法
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摘要
本发明公开了一种具有单元二极管的相变存储器件及其制造方法。所述相变存储器件包括：第一导电型的半导体衬底；设置在半导体衬底上的多条平行字线，所述字线具有不同于第一导电型的第二导电型并且具有基本平的顶表面；沿各条字线的字线长度方向一维排列的多个第一半导体图案，第一半导体图案具有第一导电型或第二导电型；堆叠在第一半导体图案上的具有第一导电型的第二半导体图案；提供于具有第二半导体图案的衬底上的绝缘层，所述绝缘层填充字线之间的间隙区、第一半导体图案间的间隙区和第二半导体图案之间的间隙区；以及二维排列于绝缘层上多个相变材料图案，并且所述相变材料图案分别电连接到第二半导体图案。
基本信息
专利标题 ：
使用单元二极管的相变存储器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832190A
申请号 ：
CN200610009594.8
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵佑荣金杜应辛允承卞贤根姜尚范赵栢衡郭忠根
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610009594.8
主分类号 ：
H01L27/24
IPC分类号 ：
H01L27/24 H01L21/822
法律状态
2009-11-04 ：
授权
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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