增加FinFET器件接触孔与栅极桥接工艺窗口的方法
公开
摘要
本发明提供一种增加FinFET器件接触孔与栅极桥接工艺窗口的方法，提供衬底，衬底上形成有鳍式结构，鳍式结构包括栅极和形成于栅极顶端的上层结构，且形成有覆盖鳍式结构表面的防护层；对防护层掺杂，使得防护层的介电常数降低、抗氧化性增强以及抗刻蚀能力增强；去除栅极顶端的上层结构以及上层结构表面的防护层，保留栅极的侧壁上的防护层以形成侧墙结构，其中侧墙结构使得栅极被保护。本发明通过对SIOCN表面进行离子注入，形成兼具低k和抗氧化、刻蚀特质的SIOCN侧墙，增大了接触孔与栅极桥接工艺的窗口。
基本信息
专利标题 ：
增加FinFET器件接触孔与栅极桥接工艺窗口的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300361A
申请号 ：
CN202111441685.X
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郝燕霞
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘昌荣
优先权 ：
CN202111441685.X
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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