一种集成吸收电容的压接型IGBT半桥器件
授权
摘要
本实用新型涉及一种集成吸收电容的压接型IGBT半桥器件，其特征在于，所述压接型IGBT半桥器件包括第一金属电极、第二金属电极、第三金属电极、第一IGBT单元、第二IGBT单元和电容器组；所述第一金属电极、第一IGBT单元、第三金属电极、第二IGBT单元、第二金属电极依次连接；所述电容器组的两端分别连接第一金属电极和第二金属电极。本实用新型提供的技术方案采用新型的IGBT半桥器件封装方式，与传统的IGBT半桥模块相比减少了缓冲电路额外造成的寄生电感，有效减少换流回路电压过冲。
基本信息
专利标题 ：
一种集成吸收电容的压接型IGBT半桥器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922021052.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-19
授权号 ：
CN211183790U
授权日 ：
2020-08-04
发明人 ：
陈中圆张西子孙帅李翠陈艳芳李金元
申请人 ：
全球能源互联网研究院有限公司
申请人地址 ：
北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
代理机构 ：
北京安博达知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐国文
优先权 ：
CN201922021052.8
主分类号 ：
H02M1/32
IPC分类号 ：
H02M1/32 H01L25/16
法律状态
2020-08-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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