抛光工艺的控制方法
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摘要
一种抛光工艺的控制方法。首先，提供一晶片，此晶片上已覆盖一层薄膜。量测薄膜在晶片上的数个区域的膜厚，以得到平均膜厚的分布。之后，依据这些平均膜厚的分布设定一个抛光速率配方。接着，依据此抛光速率配方对该晶片进行抛光工艺。此方法可以改善抛光后膜厚的均匀度，进而提升抛光工艺的效率与晶片的良率。
基本信息
专利标题 ：
抛光工艺的控制方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1992178A
申请号 ：
CN200510137553.2
公开（公告）日 ：
2007-07-04
申请日 ：
2005-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邓清文林进坤梁文中
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510137553.2
主分类号 ：
H01L21/321
IPC分类号 ：
H01L21/321 H01L21/304 H01L21/768 H01L21/66 B24B49/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理
H01L21/321
后处理
法律状态
2009-04-08 ：
授权
2007-08-29 ：
实质审查的生效
2007-07-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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