抛光装置和抛光方法
专利申请权、专利权的转移
摘要

一种抛光装置具有:抛光带(21);供给卷轴(22),用于把抛光带(21)供给到接触部分(30)中,在该接触部分上,抛光带(21)与基体(10)的凹槽部分(11)产生接触;及拾取卷轴(23),用于缠绕来自接触部分(30)的抛光带(21)。该抛光装置还具有:第一导向部分(24),它具有导向表面(241)从而把抛光带(21)直接供给到接触部分(30)中;及第二导向部分(25),它具有导向表面,从而把抛光带(21)供给到拾取卷轴(23)中。第一导向部分(24)的导向表面(241)和/或第二导向部分(25)的导向表面具有与基体(10)的凹槽部分(11)的形状相对应的形状。

基本信息
专利标题 :
抛光装置和抛光方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101040370A
申请号 :
CN200580034805.7
公开(公告)日 :
2007-09-19
申请日 :
2005-10-12
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
窪田壮男重田厚丰田现高桥圭瑞福冈大作伊藤贤也
申请人 :
株式会社东芝;株式会社荏原制作所
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
永新专利商标代理有限公司
代理人 :
王琼
优先权 :
CN200580034805.7
主分类号 :
H01L21/304
IPC分类号 :
H01L21/304  B24B21/00  B24B9/00  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的,例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理,例如研磨、抛光、切割
法律状态
2021-09-07 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/304
登记生效日 : 20210825
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 东芝存储器株式会社
变更后权利人 : 日商潘杰亚股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本东京都
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社荏原制作所
变更后权利人 : 株式会社荏原制作所
2021-09-07 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/304
变更事项 : 专利权人
变更前 : 东芝存储器株式会社
变更后 : 铠侠股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
变更后 : 日本东京都
变更事项 : 专利权人
变更前 : 株式会社荏原制作所
变更后 : 株式会社荏原制作所
2021-09-07 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/304
变更事项 : 专利权人
变更前 : 日商潘杰亚股份有限公司
变更后 : 东芝存储器株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
变更后 : 日本东京都
变更事项 : 专利权人
变更前 : 株式会社荏原制作所
变更后 : 株式会社荏原制作所
2017-10-31 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/304
登记生效日 : 20171012
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社东芝
变更后权利人 : 东芝存储器株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 株式会社荏原制作所
变更后权利人 : 株式会社荏原制作所
2009-01-14 :
授权
2007-11-14 :
实质审查的生效
2007-09-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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