CMP抛光剂以及衬底的抛光方法
授权
摘要
本发明的CMP抛光剂，含有氧化铈粒子、水、以及由甲基丙烯酸及其盐中的至少一方聚合而成的聚合物、以及/或者由甲基丙烯酸及其盐中的至少一方与具有不饱和双键的单体聚合而成的聚合物，优选的是，还含有分散剂或由甲基丙烯酸及其盐类的至少一种与具有不饱和键的单体聚合而得到的聚合物。这样，抛光后的被抛光膜的、由图案密度差所造成的残膜厚差比较小。
基本信息
专利标题 ：
CMP抛光剂以及衬底的抛光方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101032001A
申请号 ：
CN200580032714.X
公开（公告）日 ：
2007-09-05
申请日 ：
2005-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
深泽正人小山直之芳贺浩二阿久津利明
申请人 ：
日立化成工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
葛松生
优先权 ：
CN200580032714.X
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2011-12-28 ：
授权
2007-10-31 ：
实质审查的生效
2007-09-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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