CMP抛光剂以及衬底的抛光方法
授权
摘要
本发明的CMP抛光剂，含有氧化铈粒子、水、以及由甲基丙烯酸及其盐中的至少一方聚合而成的聚合物、以及/或者由甲基丙烯酸及其盐中的至少一方与具有不饱和双键的单体聚合而成的聚合物，优选的是，还含有分散剂或由甲基丙烯酸及其盐类的至少一种与具有不饱和键的单体聚合而得到的聚合物。这样，抛光后的被抛光膜的、由图案密度差所造成的残膜厚差比较小。
基本信息
专利标题 ：
CMP抛光剂以及衬底的抛光方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101333418A
申请号 ：
CN200810146155.0
公开（公告）日 ：
2008-12-31
申请日 ：
2005-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
深泽正人小山直之芳贺浩二阿久津利明
申请人 ：
日立化成工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
钟晶
优先权 ：
CN200810146155.0
主分类号 ：
C09G1/02
IPC分类号 ：
C09G1/02 C09K3/14 B24B37/04 H01L21/304
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09G
抛光组合物；滑雪屐蜡
C09G1/00
抛光组合物
C09G1/02
含有磨料或研磨剂
法律状态
2011-05-25 ：
授权
2009-02-25 ：
实质审查的生效
2008-12-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
