进行双面工艺的方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种进行双面工艺的方法。首先，提供一晶片，且该晶片的正面包含有一结构图案。接着在该结构图案上界定多条正面切割道，再在该等正面切割道内填入一填充层。随后利用一黏着层将该结构图案与一承载晶片接合，并在该晶片的背面界定多条背面切割道。最后移除所述正面切割道内的填充层。

基本信息

专利标题：

进行双面工艺的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1975982A

申请号：

CN200510126925.1

公开（公告）日：

2007-06-06

申请日：

2005-11-28

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

杨辰雄

申请人：

探微科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾桃园县

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200510126925.1

主分类号：

H01L21/00

IPC分类号：

H01L21/00 H01L21/306 B81C1/00

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

法律状态

2016-01-20 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101643312196
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2005101269251
申请日 : 20051128
授权公告日 : 20090408
终止日期 : 20141128

2009-04-08 ：

授权

2007-08-01 ：

实质审查的生效

2007-06-06 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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