双面研磨方法及双面研磨装置
授权
摘要
本发明提供一种双面研磨方法，将支承于载体的半导体晶圆，由经分别贴附有研磨垫的上定盘及下定盘所夹入，使该半导体晶圆的双面滑接于该研磨垫，而同时研磨该半导体晶圆的双面，其中经贴附于该上定盘的该研磨垫的厚度A(mm)、及经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B(mm)，满足1.0≦A+B≦2.0，且A/B>1.0的关系。由此，能够得到在将GBIR的值抑制在要求值以下的同时，F‑ZDD<0的半导体晶圆。
基本信息
专利标题 ：
双面研磨方法及双面研磨装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108369908A
申请号 ：
CN201780004626.1
公开（公告）日 ：
2018-08-03
申请日 ：
2017-02-01
授权号 ：
CN108369908B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
田中佑宜天海史郎
申请人 ：
信越半导体株式会社
申请人地址 ：
日本东京都千代田区大手町二丁目2番1号
代理机构 ：
北京京万通知识产权代理有限公司
代理人 ：
许天易
优先权 ：
CN201780004626.1
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2018-08-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/304
申请日 : 20170201
申请日 : 20170201
2018-08-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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