双面研磨装置用载具、使用该载具的双面研磨机及双面研磨方法
专利权的终止
摘要
一种双面研磨装置用载具，其在双面研磨装置中被配设在贴有研磨布的上下磨盘之间，并形成有保持孔，该保持孔在研磨时用以保持夹在所述上下磨盘之间的晶片，其中所述载具的材质是钛。由此，可提供一种双面研磨装置用载具，该载具本身强度高，且例如可抑制对于硅晶片等晶片的不纯物污染，并能够抑制研磨后的晶片的外周部发生塌边。
基本信息
专利标题 ：
双面研磨装置用载具、使用该载具的双面研磨机及双面研磨方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101128920A
申请号 ：
CN200680005678.2
公开（公告）日 ：
2008-02-20
申请日 ：
2006-02-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
上野淳一
申请人 ：
信越半导体股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
潘培坤
优先权 ：
CN200680005678.2
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 B24B37/04
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2014-04-09 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101581315933
IPC(主分类) : H01L 21/304
专利号 : ZL2006800056782
申请日 : 20060220
授权公告日 : 20090422
终止日期 : 20130220
号牌文件序号 : 101581315933
IPC(主分类) : H01L 21/304
专利号 : ZL2006800056782
申请日 : 20060220
授权公告日 : 20090422
终止日期 : 20130220
2009-04-22 ：
授权
2008-04-16 ：
实质审查的生效
2008-02-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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