本发明涉及一种晶圆研磨方法及晶圆失效分析方法。所述晶圆研磨方法包括如下步骤：提供初始晶圆，位于所述初始晶圆的边缘的裸芯片中具有测试地址；形成重组晶圆，使得具有所述测试地址的裸芯片位于所述重组晶圆的中部；进行至少一次如下循环步骤，所述循环步骤包括：于所述重组晶圆暴露的当前层上形成保护层，所述保护层至少位于所述测试地址上方；研磨所述重组晶圆中未被所述保护层覆盖的所述当前层；去除所述保护层和所述保护层下方残留的所述当前层；判断所述测试地址是否暴露，若否，则以暴露的所述下一层作为下一次循环步骤的当前层。本发明能够使得测试地址能够完整、平坦的暴露，减少甚至是避免了栅极本体的漏电问题。