晶圆切片方法
公开
摘要
本发明提供一种晶圆切片方法，所述方法包括在不将晶圆的第一部分固定到晶圆卡盘的情况下，将所述晶圆的第二部分固定到所述晶圆卡盘，并且在所述晶圆的第一部分未固定到所述晶圆卡盘的情况下，通过顺序地激光照射所述晶圆的第一部分的第一切割道区域，在所述第一切割道区域中形成第一改性部分。所述方法还包括所述晶圆的第一部分固定到所述晶圆卡盘，并且将所述晶圆的第二部分从所述晶圆卡盘松开；以及在所述晶圆的第二部分未固定到所述晶圆卡盘的情况下，通过顺序地激光照射所述晶圆的第二部分的第二切割道区域，在所述第二切割道区域中形成第二改性部分。
基本信息
专利标题 ：
晶圆切片方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582715A
申请号 ：
CN202110659619.3
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-06-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姜敃圭李仲镇
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
张美芹
优先权 ：
CN202110659619.3
主分类号 ：
H01L21/268
IPC分类号 ：
H01L21/268 H01L21/304
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/268
应用电磁辐射的，例如激光辐射
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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