半导体晶圆化学机械研磨工序的研磨动作分析方法及其装置
授权
摘要
本发明提供研磨动作分析方法及其装置。其中，该方法用于借助至少一个处理器来工作的研磨动作分析装置，上述研磨动作分析方法包括：设置与各个构成研磨装置的垫、头部、晶圆、调节器有关的结构形态变量、工作变量及分析变量的步骤；基于上述结构形态变量、上述工作变量及上述分析变量来生成分析节点的步骤；利用上述分析节点来计算选自上述垫、上述晶圆及上述调节器的两个结构要素之间的摩擦距离及累积移动向量的步骤；以及输出计算结果的步骤。
基本信息
专利标题 ：
半导体晶圆化学机械研磨工序的研磨动作分析方法及其装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109844656A
申请号 ：
CN201780062424.2
公开（公告）日 ：
2019-06-04
申请日 ：
2017-09-18
授权号 ：
CN109844656B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
韩奉锡
申请人 ：
韩奉锡
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
吕琳
优先权 ：
CN201780062424.2
主分类号 ：
G05B13/04
IPC分类号 ：
G05B13/04 H01L21/306 H01L21/67 H01L21/304 B24B49/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制；调节
G05B
一般的控制或调节系统；这种系统的功能单元；用于这种系统或单元的监视或测试装置
G05B13/00
自适应控制系统，即系统按照一些预定的准则自动调整自己使之具有最佳性能的系统
G05B13/02
电的
G05B13/04
包括使用模型或模拟器的
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2019-06-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G05B 13/04
申请日 : 20170918
申请日 : 20170918
2019-06-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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