化学机械研磨系统及研磨液

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摘要

本发明揭示了一种采用表面化学剪裁机制研磨其上沉积有聚合物膜表面的半导体基底，再对该化学剪裁表面进行化学机械抛光的系统和方法。

基本信息

专利标题：

化学机械研磨系统及研磨液

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101103444A

申请号：

CN200680002376.X

公开（公告）日：

2008-01-09

申请日：

2006-01-17

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

杨春晓俞昌

申请人：

安集微电子（上海）有限公司

申请人地址：

201203中国上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室

代理机构：

上海虹桥正瀚律师事务所

代理人：

李佳铭

优先权：

CN200680002376.X

主分类号：

H01L21/304

IPC分类号：

H01L21/304 B24B37/00

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/302

改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割

H01L21/304

机械处理，例如研磨、抛光、切割

法律状态

2017-12-29 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

IPC(主分类) : H01L 21/304
变更事项 : 专利权人
变更前 : 安集微电子科技(上海)有限公司
变更后 : 安集微电子科技（上海）股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 201201 上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区(南区)T6-9幢底层
变更后 : 201201 上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区（南区）T6-9幢底层

2010-07-21 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101003346080
IPC(主分类) : H01L 21/304
专利号 : ZL200680002376X
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 安集微电子(上海)有限公司
变更后权利人 : 安集微电子科技(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 中国上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室
变更后权利人 : 201201 上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区(南区)T6-9幢底层
登记生效日 : 20100611

2009-05-13 ：

授权

2008-03-19 ：

实质审查的生效

2008-01-09 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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