化学机械抛光研磨垫
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明公开了一种化学机械抛光研磨垫，沿着该研磨垫的半径方向有两个以上不同区域，每个区域具有不同的摩擦系数和/或对研磨液的传送和保持能力。本发明通过改变研磨垫与硅片接触的不同区域的含孔率、划刻槽、表面粗糙度等，改变研磨垫表面不同区域的研磨液的分布及研磨垫与硅片间的机械摩擦，调节不同区域的研磨速率，保持硅片面内均匀性。
基本信息
专利标题 ：
化学机械抛光研磨垫
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1981990A
申请号 ：
CN200510111417.6
公开（公告）日 ：
2007-06-20
申请日 ：
2005-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
方精训王海军
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510111417.6
主分类号 ：
B24B37/04
IPC分类号 ：
B24B37/04 B24D3/00 H01L21/304
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B24
磨削；抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
B24B37/00
研磨机床或装置；附件
B24B37/04
适用于加工平面的
法律状态
2009-12-02 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-08-15 ：
实质审查的生效
2007-06-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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