本实用新型提供一种研磨后清洗装置和一种化学机械研磨设备。所述研磨后清洗装置中，第一滚刷和第二滚刷分别设置于进行研磨后清洗处理的半导体基片的两侧，第一滚刷清洁模块包括酸液供给槽和进液口连接酸液供给槽的第一喷淋管路，第二滚刷清洁模块包括碱液供给槽和进液口连接碱液供给槽的第二喷淋管路，第一喷淋管路和第二喷淋管路的喷液方向都设置为朝向第一和第二滚刷。所述研磨后清洗装置可以利用第一和第二滚刷清洁模块分别对滚刷进行酸洗和碱洗，可以有效去除滚刷表面附着的杂质，提高滚刷对半导体基片的清洗效果，延长滚刷的寿命，降低生产成本。本实用新型提供的化学机械研磨设备包括所述研磨后清洗装置。