晶圆加工方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种晶圆加工的方法，其包括如下步骤：(a)提供一晶圆，该晶圆具有一主动面及一背面；(b)在该晶圆的主动面上附着一平板状的基板；(c)研磨该晶圆的背面；(d)移除该平板状的基板；以及(e)切割该晶圆。藉此，可以避免晶圆加工过程中发生的翘曲现象。
基本信息
专利标题 ：
晶圆加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101000872A
申请号 ：
CN200610004815.2
公开（公告）日 ：
2007-07-18
申请日 ：
2006-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
褚福堂钟启源滕冀平
申请人 ：
日月光半导体制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号
代理机构 ：
上海开祺知识产权代理有限公司
代理人 ：
费开逵
优先权 ：
CN200610004815.2
主分类号 ：
H01L21/30
IPC分类号 ：
H01L21/30
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
法律状态
2009-10-07 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-09-12 ：
实质审查的生效
2007-07-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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