激光加工方法
授权
摘要
本发明提供一种可对加工用激光的入射面为凹凸面的板状加工对象物进行高精度切断的激光加工方法。其通过使汇聚点对准板状加工对象物的内部而照射激光，由此沿着切断预定线5形成作为切断起点的改质区域(71～77)。切断预定线(5)跨越入射面(r)的凹区域面(r2)及凸区域面(r1)。改质区域(71)形成在距离凹区域面(r2)规定距离内侧。在沿着凸区域面(r1)上的部分(51a)照射激光时，使汇聚点对准加工对象物的外部。改质区域(72)形成在距离凸区域面(r1)规定距离内侧。在沿着凹区域面(r2)上的部分(51b)照射激光时，使汇聚点对准加工对象物的外部。
基本信息
专利标题 ：
激光加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101040369A
申请号 ：
CN200580035120.4
公开（公告）日 ：
2007-09-19
申请日 ：
2005-10-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
久野耕司铃木达也
申请人 ：
浜松光子学株式会社
申请人地址 ：
日本静冈县
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200580035120.4
主分类号 ：
H01L21/301
IPC分类号 ：
H01L21/301 B23K26/40 B23K26/00 H01L21/302 B23K26/06 B23K101/40
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/301
把半导体再细分成分离部分，例如分隔
法律状态
2009-03-25 ：
授权
2007-11-14 ：
实质审查的生效
2007-09-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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