激光加工方法
专利权的终止
摘要
一种用于恢复经受结构损伤的硅之类的淀积半导体薄膜晶性的激光退火方法，所述方法包括通过用波长为４００nm或更短和脉宽为５０nsec或更窄的脉冲式激光束照射在薄膜的表面上激活半导体的步骤，其中，所述淀积薄膜被涂敷透明薄膜，如氧化硅之类的薄膜，其厚度为３至３００nm，所采用的入射到所述涂层的激光束的能量密度为Ｅ（ＭＪ／cm＃+[2]），并满足关系式：$log＃-[10]N≤－０．０２（Ｅ－３５０），$其中Ｎ是脉冲式激光束的发射数目。$＃!
基本信息
专利标题 ：
激光加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1087750A
申请号 ：
CN93109565.4
公开（公告）日 ：
1994-06-08
申请日 ：
1993-06-26
授权号 ：
CN1076864C
授权日 ：
2001-12-26
发明人 ：
山崎舜平张宏勇石原浩朗
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
叶凯东
优先权 ：
CN93109565.4
主分类号 ：
H01L21/268
IPC分类号 ：
H01L21/268 H01L21/322
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/268
应用电磁辐射的，例如激光辐射
法律状态
2013-08-21 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101510726276
IPC(主分类) : H01L 21/268
专利号 : ZL931095654
申请日 : 19930626
授权公告日 : 20011226
期满终止日期 : 20130626
号牌文件序号 : 101510726276
IPC(主分类) : H01L 21/268
专利号 : ZL931095654
申请日 : 19930626
授权公告日 : 20011226
期满终止日期 : 20130626
2001-12-26 ：
授权
1995-12-06 ：
实质审查请求的生效
1994-06-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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